本文闡述燒結現象及燒結過程 ,從燒結工藝原理出發 ,提出製定燒結規範的方法和有關原則 ,為獲得良好的成品率 ,提供最佳燒結條件 。
一 、前言
在厚膜混合集成電路製造中 ,燒結是十分重要的工序 。在基片上幹燥過的厚膜元件必須經過燒結 ,才具備一定的電性能 。例如 ,厚膜電阻在印刷 、幹燥後 ,如果不經過燒結 ,並不具有電阻的特性 ,即無一定的電阻值 。因此 ,燒結工序是厚膜技術區別於薄膜技術的特性工序 。雖然 ,厚膜電阻的特性主要取決於厚膜材料的性質及組成 ,但是 ,燒結是決定性的 。其重要條件是燒結溫度 。隻有在最適宜的條件下燒結 ,才能得出所用材料的最佳性能 。因此,燒結時賦予厚膜元件“生命”的關鍵性工序 。所以 ,厚膜元件及其集成電路的各種特性 ,絕大部分取決於燒結 。
各種厚膜元件的燒結溫度在600~1000℃之間 。而且必須在短時間內達到燒結溫度 。在生產中 ,為了得到預定的性能指標 ,並獲得良好的成品率 ,應當探求燒結規律 ,且能準確地控製其再現性 ;同時 ,正確地供給空氣或其它氣氛 ,和控製排氣 ,使揮發燃燒的有機物不致汙染厚膜 ,惡化其性能 。
二 、燒結及其現象
燒結 ,主要是指固態物質的燒結 。在燒結中要產生複雜的物理化學變化過程 ,當固態顆粒被置於適當高的溫度下時 ,由於燒結的作用 ,使其產生收縮 ,多孔性大大減少 ,密度和機械強度大大提高 ,如圖1所示 。
圖1 厚膜在工藝中的變化
燒結過程中 ,固體顆粒受熱 ,柸體內的空隙被排除而體積收縮 ,在密度和機械強度得到提高的同時 ,使晶體缺陷減少 ,晶粒長大 ,而且晶粒的比表麵 ,自由能將相應降低 。所以 ,一般以收縮率 ,氣孔率 、表麵狀態等 ,作為衡量燒結質量的指標 。
歸納起來 ,燒結現象有以下幾點 :
(1) 由於被燒結體在燒結過程中要發生一係列物理和化學變化 ,因而燒結體在外觀 、結構 、性能方麵都要發生變化 。
(2) 在燒結時 ,燒結體的各種變化速度不一樣 ,各種變化對燒結的各個因素的敏感性也各不相同 。因此 ,為得到良好的性能及重複性 ,必須嚴格控製燒結條件 。
(3) 在燒結時 ,燒結體的變化十分複雜 。因此不同的材料和原件的燒結條件各不相同 。應該指出 ,最佳燒結條件並不容易掌握和控製 ,對於具體材料 ,原件要具體分析 ,最佳燒結條件需要通過多次試驗才能加以確定 。
(4) 燒結對材料的要求有三 :①要選擇對燒結因素變化不敏感的材料 ,以獲得優良的重複性 ,方便生產 。②要選擇適當的材料組成 ,以獲得良好的工藝性 ,以縮短生產周期 。③要考慮設備和工藝條件的可能性 ,應盡量選擇那些燒結溫度不太高的材料 ,以節省能源 ,降低成本 。
(5) 對於厚膜元件厚膜混合集成電路的燒結 ,並不是一般粉末的燒結 。不但要求它成為最大密度和最高機械強度的整塊結合 ,而且要求它牢固地附著於基片上 ,並且有一定的電性能 。顯然 ,厚膜的電性能取決於厚膜結構和成分 。因此 ,厚膜燒結與一般的粉末燒結雖無本質區別 ,但要求和表現卻不相同 ,這就是厚膜燒結的特殊性 。
(6) 從工藝上平價燒結質量的好壞 ,主要依據厚膜元件的特點和對其性能的要求 。在生產中 ,通常測定使用有決定意義的性能參數 ,據此判斷是否燒結良好 ,或是否達到預期燒結目的 。
(7) 對於粉末燒結 ,粉末特性相當重要 。同一組成的材料 ,如果粉末的製取方法和處理工藝不同 ,燒結後的材料性能也不同 。在大多數情況下 ,燒結後的性能並不決定於所用材料 ,而決定於粉末的性質 。粉末性質包括粒度 ,粒度分布 ,顆粒的形狀 ,表麵狀態及內部的晶格結構等 。
三 、燒結過程
燒結過程分為四個階段 :如RuO2和Pb2Ru2O6電阻漿料和燒結 。
1. 燃燒階段
在此過程中主要粘合劑的揮發 ,分解和燃燒 。一般在300~400℃溫度區或到350℃就基本完成 。
電阻在燒結過程中當氧氣供應充足時 ,有機物反應如下 :
有機物+O2→CO2↑+H2O
當空氣不足時有機物的反應如下 :
有機物+O2→CO↑+CH4↑+H2O=C+CH3OH……
上述生成物將與(Ru)發生化學反應 ,反應如下 :
RuO2+C→Ru+CO2↑
RuO2+2CH3OH→3Ru+2CO2+4H2O
因此 ,電阻燒結時 ,為了滿足這一特定條件下的反應 ,必須供給充足氧氣 。為了充分燒盡高分子化合物 ,避免厚膜表麵形成氣泡 、鼓起 ,升溫速度不能太快 ,通常以50~100℃/為宜 。
2. 玻璃軟化階段
當溫度升高到玻璃軟化點後 ,玻璃料開始軟化 ,逐漸融熔融 ,一般溫度為480℃~550℃左右。玻璃釉熔融並浸潤導電相 ,使它均勻分布在厚膜中 ,還將厚膜粘結在基片上 ,並起覆蓋密封作用 。
3. 電阻燒成階段
玻璃熔融後 ,由於玻璃對導電相顆粒的濕潤和塑性流動 ,顆粒之間的吸附 ,顆粒相互“粒結”起來 ,構成了所謂的“鏈狀結構” 。如圖2所示 。
4. 冷卻階段
經過最高燒結溫度保溫一定時間後 ,可以按降溫速度降溫 ,使其冷卻至環境溫度 。在此過程中 ,玻璃逐漸硬化 ,到550℃左右基本完全凝固 。將膜固定並牢固附著在基體上 。
四 、燒結工藝
確定厚膜產品的燒結規範十分重要 ,在規範中主要包括升速度 ,最高燒結溫度 ,保溫時間 ,將速度和方式 ,以及氣氛等 。這些條件的確定除與原料成分 、加工粉碎情況 、成膜方式 、固相反應過程有關外 ,還與燒結爐結構 ,加熱方式 、裝爐情況有關 。
合理的燒結規範 ,應以燒結速度快 ,周期短,質量好為原則 。在保證厚膜產品質量的前提下 ,力求省時節能 ,所以 ,能否獲得優質廉價的厚膜產品 ,是評價燒結規範合理與否的標準 。
現從工藝原理出發 ,提出及製定燒結規範的方法和有關原則 。
1 、 升溫度速度
在厚膜燒結中 ,從室溫升至最高燒結溫度的敬意,稱為升溫時間 ,在保證厚膜性能要求的情況下 ,升溫期盡可能短 。由於升溫速度主要影響燒結的各種反應 ,所以升溫太快 ,有機物劇烈揮發 ,形成氣泡和針孔 。由於升溫時間太短 ,有機物燃燒不盡 ,影響膜的性能和性質 。不過 ,升溫速度也不能太慢 ,否則將影響生產率 。
一般是 ,對於大片 ,結構複雜和多層厚膜產品 ,升溫速度慢一些 ,以免局部溫差過大 ,脹縮不一而導致變形 、分層 、龜裂等 。對於多片疊燒或埋燒的小片產品 ,由於傳熱比較均勻 ,升溫度可快一些 。
2 、 最高燒結溫度與保溫時間
最高燒結溫度與保溫時間二者相互製約又相互補償 。調整兩者數值 ,可達到一次經曆發展成熟 ,晶界明顯 ,無過分二次結晶 ,收縮均勻 ,氣孔極少 ,致密度最高等 。
1) 最高燒結溫度的確定
在實際生產或燒製研究中 ,對厚膜漿料高燒結溫度的確定 ,主要依據綜合熱分析實驗數據 。因為厚膜漿料的成分 ,顆粒的粗細 ,配比 ,成膜與密度 ,摻雜相與用量等的混合與分布情況 ,都與其最高燒結溫度密切相關 。
應在一定範圍內選擇最高燒結溫度 。對於結晶能力強 ,燒成溫區窄的厚膜 ,先用範圍的下限 ,且適當增長保溫時間 ;對於組成複雜 ,結晶能力較弱 ,燒成溫區較寬的厚膜 ,可選擇溫度範圍的上限 ,而適當縮短保溫時間 ,節約能源 。
2) 最高燒結溫度與保溫時間的關係
對於多數厚膜元件 ,在燒結後期的再結晶過程,主要受擴散傳質機構製約 ,其粒界移動速度V與絕對溫度T成指數關係 :
V=V0esp(-b /T)
式中 :V0—頻率因子 ,與界麵能 ,界麵曲率等關係密切 ,與溫度關係不太大 。
b—激活能有關的係數 。如果一次晶粒長大時 ,粒界移動的平均距離為X ,則 :
X=Vt=V0texp(-b /T)
式中 :t—擴散時間 ,可認為是相應的燒結時間 。如將上式中的T換為T0 ,則可得出最高燒結溫度T0與保溫時間t的關係 :
t=t0exp(-b /Tf)
式中 :t0=X /V0可見 ,保溫時間與最高燒結溫度成指數關係 ,當要求粒界移動相同距離時 ,T0稱一變動 ,t就要大調整 。一般 ,保溫時間直接影響燒結反應是否充分 ,厚膜結構是否均勻 ,以及晶體的生長情況等 。對於含玻璃的導體保溫時間以短為好 。因為保溫時間太長 ,會使導體漿料中的玻璃浮於厚膜表麵 ,降低其可焊性和附著力 。
3 、 降溫速度及其方式
按照燒結規範 ,在最高燒結溫度下保溫一定時間以後 ,以一定速度降溫 ,降溫方式是指厚膜產品燒結保溫後的冷卻速度及其有關問題 。因為對厚膜產品性能的要求不一 ,根據冷卻速度的快慢 ,常見的降溫方式有三種 :
1) 緩慢降溫 :主要根據燒結爐子的結構 ,熱容量大小 ,采取少量供熱 ,按規定的速度緩慢降溫 。
2) 隨爐降溫 :在保溫時間後 ,切數能源 ,隨爐自然保溫 。
3) 急速降溫 :是為了使高溫時的晶相結構能盡量保持下來 ,避免在慢速降溫中可能出現的化合物分解 ,固溶體脫落 ,玻璃相減少 ,粒界過分移動 、晶粒進一步長大 ,多晶轉變 ,繼續氧化還原反應 ,某些物質的擴散等 。
4 、 燒結曲線
改變最高燒結溫度和保溫時間 ,對厚膜的性能影響很大 。圖3為聊算鹽係長的燒結曲線 ,在800~900℃範圍內燒結的效果最好 ,最高燒結溫度為850℃ ,保溫時間為9-10min ,燒結周期為60分鍾 。
圖4是兩種不同周期的燒結溫度變一時間的曲線圖 。
(b)為短周期燒結曲線 ,周期為30 min最高燒結溫度為850℃ ,長溫速度在300~500℃之間 ,為100℃/min 。現漿料分廠引進的ISTU燒結爐采用上述曲線 。
五 、影響燒結的因線
影響燒結過程和燒結效果的因素很多 ,主要有 :最高燒結溫度,保溫時間 ,燒結時的環境氣氛 ,以及固相顆粒的特性 。
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